गॅलियम नायट्राइड म्हणजे काय?

गॅलियम नाइट्राइड हा बायनरी III / V डायरेक्ट बॅन्डगॅप सेमीकंडक्टर आहे जो उच्च तापमानात ऑपरेट करण्यास सक्षम उच्च-शक्ती ट्रान्झिस्टरसाठी योग्य आहे. १ 1990 1990 ० च्या दशकापासून याचा उपयोग प्रकाश उत्सर्जक डायोड (एलईडी) मध्ये सामान्यपणे केला जात आहे. गॅलियम नायट्रायड ब्ल्यू-रेमध्ये डिस्क रीडिंगसाठी वापरलेला निळा दिवा देतो. याव्यतिरिक्त, गॅलियम नायट्राइडचा वापर सेमीकंडक्टर उर्जा उपकरणे, आरएफ घटक, लेझर आणि फोटॉनिक्समध्ये केला जातो. भविष्यात आम्ही सेन्सर तंत्रज्ञानामध्ये जीएएन पाहू.

२०० In मध्ये, इन्हेंमेंट-मोड गॅन ट्रान्झिस्टर, ज्यास कधीकधी गॅन एफईटी म्हणतात, मेटल सेंद्रिय रासायनिक वाष्प जमाव (एमओसीव्हीडी) वापरुन मानक सिलिकॉन वेफरच्या एआयएन लेयरवर गॅनची पातळ थर वाढवून उत्पादित करण्यास सुरवात केली. एआयएन लेयर थर आणि जीएएन दरम्यान बफर म्हणून कार्य करते.
या नवीन प्रक्रियेमुळे गॅलियम नायट्राइड ट्रान्झिस्टर सिलिकॉनसारख्या विद्यमान कारखान्यांमध्ये जवळजवळ समान उत्पादन प्रक्रिया वापरुन उत्पादनक्षम होऊ शकले. ज्ञात प्रक्रिया वापरुन, यामुळे समान, कमी उत्पादन खर्चास अनुमती मिळते आणि बर्‍याच सुधारित कामगिरीसह लहान ट्रान्झिस्टरसाठी दत्तक घेण्यास होणारा अडथळा कमी होतो.

अधिक समजावून सांगण्यासाठी, सर्व अर्धवाहक सामग्रीमध्ये बॅन्डगॅप असे म्हणतात. ही एक घन मध्ये एक ऊर्जा श्रेणी आहे जिथे कोणतेही इलेक्ट्रॉन अस्तित्वात असू शकत नाहीत. सोप्या भाषेत सांगायचे तर, एक बँडगॅप संबंधित आहे की सॉलिड मटेरियल किती चांगल्या प्रकारे वीज चालवू शकते. सिलिकॉनच्या 1.12 ईव्ही बँडगॅपच्या तुलनेत गॅलियम नायट्राइडमध्ये 3.4 इव्ही बँडगॅप आहे. गॅलियम नायट्राइडच्या विस्तीर्ण बँड गॅपचा अर्थ सिलिकॉन एमओएसएफईटीएसपेक्षा उच्च व्होल्टेजेस आणि उच्च तापमान टिकवून ठेवू शकतो. या विस्तृत बँडगॅपने ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उच्च-शक्ती आणि उच्च-वारंवारता उपकरणे लागू करण्यासाठी गॅलियम नायट्राइड सक्षम केले.

गॅलियम आर्सेनाइड (गाए) ट्रान्झिस्टरपेक्षा जास्त तपमान आणि व्होल्टेजवर कार्य करण्याची क्षमता देखील इमेजिंग आणि सेन्सिंग सारख्या गॅलियम नाइट्राइड आदर्श शक्ती प्रवर्धकांना बनवते, जसे की इमेजिंग आणि सेन्सिंग, भविष्यातील बाजारपेठ. जीएएन तंत्रज्ञान येथे आहे आणि ते सर्वकाही अधिक चांगले करण्याचे वचन देते.

 


पोस्ट वेळः ऑक्टोबर-14-2020